CXMT의 4F 스퀘어 기술은 같은 공간에 디램 셀을 더 많이 배치하는 구조 변경 기술로, 기존 6F 스퀘어 대비 이론적으로 셀을 최대 50% 더 배치할 수 있다는 설명이 제시됐다. 트랜지스터를 수직으로 세우고 하이브리드 본딩을 결합하는 방식이며, 전류 제어가 어려워 데이터 신뢰성 확보가 관건이라고 짚었다.
김
김구연
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10/16AI 요약중국 CXMT의 차세대 D램 기술 '4F²' 상용화 선언과 한국 반도체 기업(삼성전자, SK하이닉스)과의 기술 격차 및 양산 가능성에 대한 분석