CXMT의 4F 스퀘어 기술은 같은 공간에 디램 셀을 더 많이 배치하는 구조 변경 기술로, 기존 6F 스퀘어 대비 이론적으로 셀을 최대 50% 더 배치할 수 있다는 설명이 제시됐다. 트랜지스터를 수직으로 세우고 하이브리드 본딩을 결합하는 방식이며, 전류 제어가 어려워 데이터 신뢰성 확보가 관건이라고 짚었다.
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中 CXMT의 삼전닉스 역전 선언? D램 신기술의 진실과 빠진 이야기 | CBS 산업부 김구연 기자
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10초 요약
CXMT의 4F 스퀘어 D램 기술 발표를 수율·가격·양산 관점에서 점검한 결과, 아직 상용화 단계가 아니고 발표문에 수율·양산·샘플 언급이 없어 선언에 가깝다는 평가다. 증권가에서는 삼성과의 기술 격차를 최소 5~7년으로 보는 보고서도 있어, 현재로선 역전보다는 실제 양산·수율을 지켜볼 단계라는 결론이다.
김구연
중국 CXMT가 4F 스퀘어 D램 기술을 올해 안에 내놓겠다고 발표했지만, 발표문에 수율·양산·샘플 언급이 없어 선언에 가깝다. 수율과 가격 경쟁력을 확인하기 전까지는 삼성전자·SK하이닉스를 역전했다고 보기 이르다는 판단이다.
조건 · CXMT가 실제로 샘플을 만들고 양산에 돌입하는지, 수율이 어느 수준인지를 확인한 뒤 판단해야 한다는 단서가 붙는다.
오독 주의 · CXMT의 기술 발표를 곧바로 국내 기업 역전이나 디램 가격 하락으로 연결해 해석하면, 발표문에 수율·양산 근거가 없다는 지적과 증권가의 5~7년 격차 분석을 놓치게 된다.